首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    ECCN
    漏源电压
    30V
    类型
    功率
    行业应用
    阈值电压
    栅极电荷
    连续漏极电流
    品牌: DIODES
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 30V
    类型: 2个N沟道
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:380pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:380pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:380pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:380pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:380pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:380pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:380pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧