品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC3A01T8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V€204pF@15V
连续漏极电流:2.7A€2A
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N-Channel
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N-Channel
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32M6SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8594pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@15V
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:150mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC3A01T8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V€204pF@15V
连续漏极电流:2.7A€2A
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32M6SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8594pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N-Channel
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@15V
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:150mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
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导通电阻:150mΩ
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
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ECCN:EAR99
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类型:N-Channel
漏源电压:30V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC3A01T8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V€204pF@15V
连续漏极电流:2.7A€2A
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32M6SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
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栅极电荷:12.3nC@10V
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连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N-Channel
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC3A01T8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V€204pF@15V
连续漏极电流:2.7A€2A
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
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销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
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规格型号(MPN):DMP3130LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
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栅极电荷:24nC@10V
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漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@15V
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:150mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC3A01T8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V€204pF@15V
连续漏极电流:2.7A€2A
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N-Channel
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:3.5A
导通电阻:150mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC3A01T8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V€204pF@15V
连续漏极电流:2.7A€2A
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32M6SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
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类型:N-Channel
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32M6SPS-13
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功率:1.3W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N-Channel
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130LQ-7
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ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC3A01T8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V€204pF@15V
连续漏极电流:2.7A€2A
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
功率:1.3W
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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