品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3030SN-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3030SN-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104LP-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104LP-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3030SN-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104LP-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3030SN-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004DMK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3030SN-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: