品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6075S-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:606pF@20V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6075S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:606pF@20V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6075S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:606pF@20V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6075S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:606pF@20V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC1028UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:787pF@6V€576pF@10V
连续漏极电流:6.1A€3.5A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:12V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:1320pF@15V
连续漏极电流:14.1A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6075S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:606pF@20V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3165L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3165LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1045UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1357pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6075SQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:606pF@20V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2038LVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V€705pF@10V
连续漏极电流:3.7A€2.6A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC1028UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:787pF@6V€576pF@10V
连续漏极电流:6.1A€3.5A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:12V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3401LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1326pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2100U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:216pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: