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销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：270mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧，47千欧
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧，47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：270mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：270mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1013TQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：270mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013TQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013TQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧，47千欧
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧，47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：270mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：270mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
