品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC1015UPD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1495pF@6V
连续漏极电流:9.5A€6.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:17mΩ@11.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT4002LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6771pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC1015UPD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1495pF@6V
连续漏极电流:9.5A€6.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:17mΩ@11.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2002UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12826pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6002LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6555pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2002UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12826pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2002UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12826pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2002UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12826pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:10.6A€87A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6002LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6555pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:10.6A€87A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT4002LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6771pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT4002LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6771pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC1015UPD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1495pF@6V
连续漏极电流:9.5A€6.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:17mΩ@11.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC1015UPD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1495pF@6V
连续漏极电流:9.5A€6.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:17mΩ@11.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC1015UPD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1495pF@6V
连续漏极电流:9.5A€6.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:17mΩ@11.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2002UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12826pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:10.6A€87A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:10.6A€87A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:10.6A€87A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT4002LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6771pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT4002LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6771pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: