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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3013SFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1674pF@15V
连续漏极电流：12A€35A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
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功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3013SFV-7
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功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
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栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1674pF@15V
连续漏极电流：12A€35A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2056U-7
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功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：339pF@10V
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类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMN2056U-7
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功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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阈值电压：1V@250µA
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栅极电荷：4.3nC@4.5V
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输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：DMP3013SFV-7
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功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
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栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1674pF@15V
连续漏极电流：12A€35A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：3V@250µA
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栅极电荷：33.7nC@10V
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输入电容：1674pF@15V
连续漏极电流：12A€35A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@11.5A，10V
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功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：DMN2056U-7
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功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
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栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMP3013SFV-7
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功率：940mW
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栅极电荷：33.7nC@10V
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输入电容：1674pF@15V
连续漏极电流：12A€35A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3013SFV-7
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功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
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栅极电荷：33.7nC@10V
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输入电容：1674pF@15V
连续漏极电流：12A€35A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
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输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3013SFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1674pF@15V
连续漏极电流：12A€35A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3013SFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1674pF@15V
连续漏极电流：12A€35A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3013SFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1674pF@15V
连续漏极电流：12A€35A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
导通电阻：2Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
导通电阻：2Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
功率：940mW
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ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
导通电阻：2Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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