品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:16.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4023SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1091pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6021SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1143pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4023SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1091pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC10H170SFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A€2.3A
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC10H170SFJ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A€2.3A
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:16.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4004pF@20V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:16.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:16.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: