销售单位：个

规格型号(MPN)：MMSTA64-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX705

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FZT705TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX705

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA63-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：300mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMSTA63-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX705

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZXTP05120HFFTA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@2mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCX705TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：300mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV46TA

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：330mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMSTA64-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：300mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：300mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FZT705TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCX705TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FZT705TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV46TA

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：330mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FZT705TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCX705TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV46TA

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：330mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMSTA64-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCX705TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

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特征频率：160MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMSTA63-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT734TA

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：140MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.05V@5mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FZT705TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCX705TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FZT705TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT734TA

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：625mW

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特征频率：140MHz

工作温度：55℃~150℃

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ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT734TA

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：140MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.05V@5mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1