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品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT6427-7-F
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
晶体管类型：NPN
集电集截止电流(Icbo)：1µA
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
集射极击穿电压(Vceo)：40V
功率：300mW
包装方式：卷带（TR）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST52TA
功率：1W
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电集截止电流(Icbo)：10µA
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@150mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT6427-7-F
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
晶体管类型：NPN
集电集截止电流(Icbo)：1µA
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
集射极击穿电压(Vceo)：40V
功率：300mW
包装方式：卷带（TR）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZT603TA
特征频率：150MHz
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.13V@20mA，2A
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@500mA，5V
功率：2W
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZT603TA
特征频率：150MHz
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.13V@20mA，2A
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@500mA，5V
功率：2W
集电极电流(Ic)：2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV47TC
晶体管类型：NPN
特征频率：170MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
ECCN：EAR99
功率：330mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCX605TA
特征频率：150MHz
晶体管类型：NPN
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：1A
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V
功率：1W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA13-7-F
特征频率：125MHz
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
工作温度：55℃~150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：300mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV49TA
晶体管类型：NPN
特征频率：170MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FMMT38CTA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V
集电极电流(Ic)：300mA
工作温度：55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
功率：330mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV47TA
晶体管类型：NPN
特征频率：170MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
功率：330mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCX605TA
特征频率：150MHz
晶体管类型：NPN
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：1A
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V
功率：1W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCX605TA
特征频率：150MHz
晶体管类型：NPN
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：1A
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V
功率：1W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FMMT634QTA
晶体管类型：NPN
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@5mA，1A
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：900mA
特征频率：140MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：806mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA13-7-F
特征频率：125MHz
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
工作温度：55℃~150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：300mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT6427-7-F
晶体管类型：NPN
集电集截止电流(Icbo)：1µA
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
集射极击穿电压(Vceo)：40V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
ECCN：EAR99
功率：300mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCX605TA
特征频率：150MHz
晶体管类型：NPN
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：1A
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V
功率：1W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FMMT634QTA
晶体管类型：NPN
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@5mA，1A
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：900mA
特征频率：140MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
功率：806mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST52TA
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电集截止电流(Icbo)：10µA
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
功率：1W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@150mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV49TA
晶体管类型：NPN
特征频率：170MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMST6427-7-F
晶体管类型：NPN
集电集截止电流(Icbo)：1µA
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
集射极击穿电压(Vceo)：40V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
功率：200mW
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT6427-7-F
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
晶体管类型：NPN
集电集截止电流(Icbo)：1µA
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
集射极击穿电压(Vceo)：40V
功率：300mW
包装方式：卷带（TR）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST52TA
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电集截止电流(Icbo)：10µA
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
功率：1W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@150mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMST6427-7-F
晶体管类型：NPN
集电集截止电流(Icbo)：1µA
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
集射极击穿电压(Vceo)：40V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
功率：200mW
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMSTA14-7-F
特征频率：125MHz
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
工作温度：55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXTN04120HFFTA
晶体管类型：NPN
集电集截止电流(Icbo)：10µA
工作温度：55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：1A
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@5mA，2A
特征频率：120MHz
功率：1.5W
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZT7053TA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V
功率：1.25W
晶体管类型：NPN
工作温度：55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1.5A
集电集截止电流(Icbo)：200nA
集射极击穿电压(Vceo)：100V
特征频率：200MHz
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FMMT634TA
功率：625mW
晶体管类型：NPN
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@5mA，1A
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：900mA
特征频率：140MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV47QTA
晶体管类型：NPN
特征频率：170MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：310mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FZT7053TA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V
功率：1.25W
晶体管类型：NPN
工作温度：55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：1.5A
集电集截止电流(Icbo)：200nA
集射极击穿电压(Vceo)：100V
特征频率：200MHz
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
