采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@100µA，1mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：1kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@100µA，1mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：100kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：1kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@100µA，1mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：100kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：1kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：100kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，2.5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
