品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:0.9 nC @ 4.5 V
输入电容:64 pF @ 25 V
连续漏极电流:320mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:2 欧姆 @ 100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:270mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:0.622 nC @ 4.5 V
输入电容:59.76 pF @ 16 V
连续漏极电流:460mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:700 毫欧 @ 350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
输入电容:25 pF @ 10 V
连续漏极电流:160mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
输入电容:25 pF @ 10 V
连续漏极电流:160mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.1W
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:3.8nC @ 4.5V
输入电容:279pF @ 10V
连续漏极电流:1.7A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:200 毫欧 @ 1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
输入电容:25 pF @ 10 V
连续漏极电流:160mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013T-7
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:270mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.622 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76 pF @ 16 V
连续漏极电流:460mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:700 毫欧 @ 350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:1V @ 250µA
导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V
漏源电压:50V
连续漏极电流:160mA(Ta)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
功率:200mW(Ta)
输入电容:25 pF @ 10 V
包装清单:商品主体 * 1
库存: