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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12.3 nC @ 10 V
输入电容：606 pF @ 20 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12.3 nC @ 10 V
输入电容：606 pF @ 20 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：930mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
输入电容：1810 pF @ 20 V
连续漏极电流：11.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：16 nC @ 10 V
输入电容：825 pF @ 30 V
连续漏极电流：4.3A（Ta），10A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：69 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12.3 nC @ 10 V
输入电容：606 pF @ 20 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12.3 nC @ 10 V
输入电容：606 pF @ 20 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：930mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
输入电容：1810 pF @ 20 V
连续漏极电流：11.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3017SFG-13
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：940mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：41 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246 pF @ 15 V
连续漏极电流：11.5A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：10 毫欧 @ 11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12.3 nC @ 10 V
输入电容：606 pF @ 20 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12.3 nC @ 10 V
输入电容：606 pF @ 20 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：930mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
输入电容：1810 pF @ 20 V
连续漏极电流：11.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：800mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：8.9 nC @ 10 V
输入电容：612 pF @ 20 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：155 毫欧 @ 2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：930mW（Ta）
栅极电荷：37 nC @ 10 V
漏源电压：40V
连续漏极电流：11.5A（Ta）
导通电阻：12 毫欧 @ 14A，10V
输入电容：1810 pF @ 20 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：3V @ 250µA
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：85 毫欧 @ 1.5A，10V
栅极电荷：12.3 nC @ 10 V
输入电容：606 pF @ 20 V
连续漏极电流：3A（Ta）
功率：600mW（Ta）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
阈值电压：3V @ 250µA
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
