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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H1M7STLW-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H1M7STLW-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H1M7STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:6W€250W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:147nC@10V

    输入电容:9.871nF@50V

    连续漏极电流:250A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH84M1SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH84M1SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:63nC@10V

    输入电容:4.209nF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH84M1SPSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH84M1SPSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:63nC@10V

    输入电容:4.209nF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@10V,600mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数50个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数50个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@10V,600mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H015SK3-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H015SK3-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H015SK3-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:30.1nC@10V

    输入电容:2.343nF@50V

    连续漏极电流:59A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H1M7STLW-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H1M7STLW-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H1M7STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:6W€250W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:147nC@10V

    输入电容:9.871nF@50V

    连续漏极电流:250A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数6000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数6000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@10V,600mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH84M1SPSQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH84M1SPSQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:63nC@10V

    输入电容:4.209nF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数9000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数9000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@10V,600mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数25个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FTA 起订数25个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    输入电容:141pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1Ω@10V,600mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订数7500个
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订数7500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:2.085nF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.5mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订数10000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订数10000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:2.085nF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.5mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07ZTA 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07ZTA 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:2.9nC@10V

    输入电容:138pF@50V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:700mΩ@10V,1.5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H1M7STLW-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H1M7STLW-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H1M7STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:6W€250W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:147nC@10V

    输入电容:9.871nF@50V

    连续漏极电流:250A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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