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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110ASTZ
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功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
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漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：ZVN2110ASTZ
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功率：700mW
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规格型号(MPN)：ZVN2110A
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功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
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ECCN：EAR99
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ECCN：EAR99
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功率：700mW
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：700mW
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类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：75pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
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