首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    阈值电压
    反向传输电容
    行业应用
    品牌: DIODES
    阈值电压: 1.5V
    反向传输电容: 55pF
    当前匹配商品:3
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3-ES 起订47个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3-ES 起订47个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3-ES

    功率:20.8W

    阈值电压:1.5V

    栅极电荷:9.8nC

    输入电容:550pF

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:55pF

    导通电阻:14mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3-ES 起订39个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3-ES 起订39个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3-ES

    功率:20.8W

    阈值电压:1.5V

    栅极电荷:9.8nC

    输入电容:550pF

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:55pF

    导通电阻:14mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3-ES 起订100个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3-ES 起订100个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3-ES

    功率:20.8W

    阈值电压:1.5V

    栅极电荷:9.8nC

    输入电容:550pF

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:55pF

    导通电阻:14mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧