采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：10.5nC@5V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：13.2nC@10V
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：13.2nC@10V
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
