品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:44.8pF@15V
连续漏极电流:440mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:44.8pF@15V
连续漏极电流:440mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:44.8pF@15V
连续漏极电流:440mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:44.8pF@15V
连续漏极电流:440mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:10.1nC@4.5V
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:40mΩ@4.5V,4.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:44.8pF@15V
连续漏极电流:440mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: