采购热线 400-661-9010
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP30P30Q-ES
功率：30W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN4838
功率：21W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：18nC
输入电容：1.08nF
连续漏极电流：33A
类型：2个N沟道
反向传输电容：110pF
导通电阻：7.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN7409
功率：30W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN7409
功率：30W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP30P30Q-ES
功率：30W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN4838
功率：21W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：18nC
输入电容：1.08nF
连续漏极电流：33A
类型：2个N沟道
反向传输电容：110pF
导通电阻：7.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP30P30Q-ES
功率：30W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN4838
功率：21W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：18nC
输入电容：1.08nF
连续漏极电流：33A
类型：2个N沟道
反向传输电容：110pF
导通电阻：7.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN7409
功率：30W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP30P30Q-ES
功率：30W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2100UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：216pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3053L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3053L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3053L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：3.8A
阈值电压：1.4V@250μA
功率：1.4W
输入电容：305pF@5V
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：5.8A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
