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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601WK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601TK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8008LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€23.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2254pF@40V
连续漏极电流：16A€48A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DMK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：510mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DWKQ-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：305mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DWKQ-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：305mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10LFTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：305mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601WKQ-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10LFTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10LFTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601WK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601WK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DWKQ-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：305mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601WK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
