品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
栅极电荷:0.3nC@4.5V
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:380mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
栅极电荷:2.8nC@10V
漏源电压:250V
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:14Ω@200mA,10V
ECCN:EAR99
输入电容:81pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0SFD-7
连续漏极电流:540mA
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:30.2pF@25V
漏源电压:60V
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.87nC@10V
功率:430mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LV-7
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:550mA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:940mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQ-13
栅极电荷:0.3nC@4.5V
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:310mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LV-7
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:550mA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:940mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LV-7
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:550mA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:940mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8008LFG-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:16A€48A
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:2254pF@40V
栅极电荷:37.7nC@10V
功率:1W€23.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0SFD-7
连续漏极电流:540mA
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:30.2pF@25V
漏源电压:60V
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.87nC@10V
功率:430mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1739
规格型号(MPN):2N7002K-7
栅极电荷:0.3nC@4.5V
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:380mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
栅极电荷:0.3nC@4.5V
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:380mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0SFD-7
连续漏极电流:540mA
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:30.2pF@25V
漏源电压:60V
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.87nC@10V
功率:430mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
栅极电荷:2.8nC@10V
漏源电压:250V
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:14Ω@200mA,10V
ECCN:EAR99
输入电容:81pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10LFTA
连续漏极电流:150mA
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:60pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
导通电阻:5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LV-13
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:30pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:550mA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:940mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10LFTA
连续漏极电流:150mA
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:60pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
导通电阻:5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601DMK-7
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@1mA
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:510mA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:700mW
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
栅极电荷:0.3nC@4.5V
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:380mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQ-13
栅极电荷:0.3nC@4.5V
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:310mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
栅极电荷:0.3nC@4.5V
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:380mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LV-13
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:30pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:550mA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:940mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0SFD-7
连续漏极电流:540mA
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:30.2pF@25V
漏源电压:60V
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.87nC@10V
功率:430mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10LFTA
连续漏极电流:150mA
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:60pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
导通电阻:5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10LFTA
连续漏极电流:150mA
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:60pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
导通电阻:5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:81pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:81pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: