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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：1.25V@250μA
栅极电荷：5.3nC@4.5V
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@4.5V，2.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.25V@250μA
漏源电压：20V
输入电容：250pF@10V
类型：1个P沟道
功率：1.08W
导通电阻：100mΩ@4.5V，2.7A
栅极电荷：5.3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.25V@250μA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：3.4A
栅极电荷：7.3nC@4.5V
输入电容：443pF@16V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.25V@250μA
漏源电压：20V
导通电阻：80mΩ@4.5V，4.5A
类型：1个P沟道
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
