品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:7nC@4.5V
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
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功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:7nC@4.5V
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
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功率:800mW
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栅极电荷:7nC@4.5V
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连续漏极电流:4.2A
类型:1个N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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