采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1.38A
类型：2个N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：20.4nC@10V
输入电容：1.063nF@30V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.6A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138AKDW
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138AKDW
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UDJ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：380pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
