品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.8nC@10V
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:350mΩ@10V,600mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@10V,910mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.1nC@10V
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@10V,910mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: