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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206GVTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306A
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0545GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@100mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2120GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@250mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0124A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@250mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：150µA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4106FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3944pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4106FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：150µA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0545GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@100mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0545A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@100mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN100-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0545GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@100mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NMSD200B01-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NMSD200B01-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0545A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：90mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@100mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206AV
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0124A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@250mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4310GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.67A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206AV
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
