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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：86nC@10V
输入电容：3.69nF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@10V，13.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
