采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250A
栅极电荷：0.41nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@15V
连续漏极电流：780mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250A
栅极电荷：0.41nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@15V
连续漏极电流：780mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250A
栅极电荷：0.41nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@15V
连续漏极电流：780mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250A
栅极电荷：0.41nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@15V
连续漏极电流：780mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250A
栅极电荷：0.41nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@15V
连续漏极电流：780mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFB-7B
连续漏极电流：780mA
功率：520mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：31pF@15V
阈值电压：1V@250A
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
栅极电荷：0.41nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFB-7B
连续漏极电流：780mA
功率：520mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：31pF@15V
阈值电压：1V@250A
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
栅极电荷：0.41nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-7
功率：230mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：1V@250A
连续漏极电流：320mA
输入电容：32pF@30V
ECCN：EAR99
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-7
功率：230mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：1V@250A
连续漏极电流：320mA
输入电容：32pF@30V
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
栅极电荷：500pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
