采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
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功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
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漏源电压：50V
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功率：430mW
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类型：MOSFET
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规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
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功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
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类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
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阈值电压：800mV
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类型：MOSFET
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阈值电压：800mV
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导通电阻：1.6Ω
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规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
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导通电阻：1.6Ω
工作温度：-55℃~+150℃
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功率：430mW
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307A-ES
功率：1.4W
阈值电压：800mV
栅极电荷：9.4nC
输入电容：954pF
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：77pF
导通电阻：40mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：1.4W
阈值电压：800mV
栅极电荷：9.4nC
输入电容：954pF
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：77pF
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功率：1.4W
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栅极电荷：9.4nC
输入电容：954pF
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：77pF
导通电阻：40mΩ
漏源电压：30V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
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包装规格(MPQ)：3000psc
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规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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