品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2015UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:42.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1439pF@10V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@8.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2041L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.05W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6495pF@10V
连续漏极电流:18.1A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.05W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6495pF@10V
连续漏极电流:18.1A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2041L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2041L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.05W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6495pF@10V
连续漏极电流:18.1A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2041L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.05W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6495pF@10V
连续漏极电流:18.1A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06TK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.05W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6495pF@10V
连续漏极电流:18.1A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2041L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: