品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LDMQ-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.6A
输入电容:820pF@15V
类型:P沟道
栅极电荷:10.1nC@4.5V
漏源电压:20V
导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005UFG-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:6495pF@10V
栅极电荷:164nC@10V
漏源电压:20V
功率:1.05W
ECCN:EAR99
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V
连续漏极电流:18.1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058UW-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:7.7nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:500mW
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:3.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.1A
输入电容:218pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LSN-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.6A
输入电容:820pF@15V
类型:P沟道
栅极电荷:10.1nC@4.5V
漏源电压:20V
导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040U-13
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:667pF@10V
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:7.5nC@4.5V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:7.7nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:4.6A
导通电阻:35mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
输入电容:281pF@10V
功率:1.13W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420UQ-7
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.47A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:740mW
漏源电压:20V
输入电容:434.7pF@10V
导通电阻:29mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7
阈值电压:1.2V@250µA
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@10V
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
导通电阻:78mΩ@500mA,8V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.47A
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
漏源电压:20V
输入电容:434.7pF@10V
导通电阻:29mΩ@6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301L-13
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
输入电容:476pF@10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2037U-13
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
栅极电荷:14.5nC@8V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:803pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:P沟道
漏源电压:20V
导通电阻:28mΩ@2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005UFG-13
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:6495pF@10V
栅极电荷:164nC@10V
漏源电压:20V
功率:1.05W
ECCN:EAR99
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V
连续漏极电流:18.1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:58.3nC@10V
输入电容:2555pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
连续漏极电流:12A
导通电阻:8mΩ
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LSN-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.6A
输入电容:820pF@15V
类型:P沟道
栅极电荷:10.1nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D0UFD-7
阈值电压:1.2V@250µA
输入电容:80pF@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:495mΩ@800mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:820mA
功率:490mW
类型:P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFV-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:3350pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040U-13
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:667pF@10V
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:7.5nC@4.5V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2200UDW-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:900mA
漏源电压:20V
输入电容:184pF@10V
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
功率:450mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LDM-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.6A
输入电容:820pF@15V
类型:P沟道
栅极电荷:10.1nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040U-13
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:667pF@10V
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:7.5nC@4.5V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420UQ-7
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.47A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:740mW
漏源电压:20V
输入电容:434.7pF@10V
导通电阻:29mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFV-13
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:3350pF@10V
漏源电压:20V
栅极电荷:103nC@10V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7
阈值电压:1.2V@250µA
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@10V
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
导通电阻:78mΩ@500mA,8V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7
阈值电压:1.2V@250µA
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@10V
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
导通电阻:78mΩ@500mA,8V
类型:P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.1A
输入电容:218pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301L-7
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
输入电容:476pF@10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2200UDW-13
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:184pF@10V
类型:2个P沟道(双)
连续漏极电流:900mA
漏源电压:20V
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
ECCN:EAR99
功率:450mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040U-13
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:667pF@10V
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:7.5nC@4.5V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7
阈值电压:1.2V@250µA
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@10V
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
导通电阻:78mΩ@500mA,8V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: