品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@40V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SFGQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1293pF@30V
连续漏极电流:6.1A€18A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:41.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@30V
连续漏极电流:13.5A€100A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC6070LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:731pF@20V€618pF@20V
连续漏极电流:3.1A€2.4A
导通电阻:100mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6075SQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:606pF@20V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6250SQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:920mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:512pF@30V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6068SEQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6068LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.12W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.8A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6075S-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:606pF@20V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6050SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1293pF@30V
连续漏极电流:4.8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:55mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6002LPSWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€167W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:131nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8289pF@30V
连续漏极电流:205A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6005LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€125W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:47.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2962pF@30V
连续漏极电流:17.9A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6022SSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2127pF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6023SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6075S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:606pF@20V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6250S-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:920mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:512pF@30V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LFDFWQ-7R
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.06W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@30V
连续漏极电流:9.4A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.8A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010LPD-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2615pF@30V
连续漏极电流:13.1A€47.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: