品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.03W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6968pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2841pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH15H017SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2344pF@75V
连续漏极电流:11A€61A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A07ZTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:2.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:10.7A€113A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:11.8A€123A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A18GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1055pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2596pF@30V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:11.1A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.67W€27.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:15.4A€49.1A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:11.1A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€139W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8306pF@30V
连续漏极电流:215A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4011SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1405pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4M70SPGWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:5.6W€428W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10053pF@20V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SCTBQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004SCTB-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:11.1A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8001STLWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8894pF@50V
连续漏极电流:270A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:20.9A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:11.1A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1940pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4M70SPGWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:5.6W€428W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10053pF@20V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:11.1A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H700S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:4.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: