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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.03W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6968pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH15H017SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH15H017SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH15H017SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€107W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2344pF@75V

    连续漏极电流:11A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07ZTA 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07ZTA 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A07ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:2.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@50V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010SPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010SPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:10.7A€113A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SPS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SPS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4004SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4305pF@25V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT47M2SFVWQ-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.67W€27.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:15.4A€49.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4004SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4305pF@25V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€139W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8306pF@30V

    连续漏极电流:215A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4011SK3Q-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4011SK3Q-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH4011SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1405pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4M70SPGWQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4M70SPGWQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4M70SPGWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5.6W€428W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10053pF@20V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SCTBQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SCTBQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004SCTBQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SCTB-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SCTB-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4004SCTB-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4305pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8001STLWQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8001STLWQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8001STLWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W€250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8894pF@50V

    连续漏极电流:270A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4005SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:20.9A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1940pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4M70SPGWQ-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4M70SPGWQ-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4M70SPGWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5.6W€428W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10053pF@20V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:4.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@50V

    连续漏极电流:700mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6012SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1926pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:274pF@50V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.03W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6968pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:4.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@50V

    连续漏极电流:700mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4005SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:20.9A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25GTA 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25GTA 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:859pF@50V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A08E6TA 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A08E6TA 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A08E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@50V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€139W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8306pF@30V

    连续漏极电流:215A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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