采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@50V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@50V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：2085pF@50V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：ZXMHC10A07T8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@60V€141pF@50V
连续漏极电流：1A€800mA
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：ZXMHC10A07T8TA
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功率：1.3W
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导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@50V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
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功率：1.3W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
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功率：1.3W
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：ZXMHC10A07T8TA
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@50V
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类型：N沟道
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输入电容：138pF@60V€141pF@50V
连续漏极电流：1A€800mA
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连续漏极电流：14A€80A
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