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    品牌: DIODES
    阈值电压: 4V@250µA
    漏源电压: 100V
    类型: N沟道
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010SPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010SPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:10.7A€113A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:4.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@50V

    连续漏极电流:700mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:274pF@50V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:4.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@50V

    连续漏极电流:700mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:37
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:859pF@50V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1544pF@50V

    连续漏极电流:46.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A09KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A09KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A09KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1313pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:274pF@50V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25GTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25GTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:859pF@50V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1544pF@50V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:274pF@50V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A09KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A09KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A09KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1313pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H003SPSW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H003SPSW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5542pF@50V

    连续漏极电流:166A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:859pF@50V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H003SPSW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H003SPSW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5542pF@50V

    连续漏极电流:166A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:4.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@50V

    连续漏极电流:700mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:4.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@50V

    连续漏极电流:700mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A09KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A09KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A09KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1313pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:274pF@50V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:859pF@50V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A25GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:859pF@50V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:4.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@50V

    连续漏极电流:700mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1544pF@50V

    连续漏极电流:41.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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