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    品牌: DIODES
    阈值电压: 3.5V@250µA
    当前匹配商品:100+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LCG-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LCG-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LCG-7

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:1W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH45M5SPDWQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH45M5SPDWQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH45M5SPDWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€60W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1083pF@20V

    连续漏极电流:79A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP2120FFTA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP2120FFTA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP2120FFTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:137mA

    类型:P沟道

    导通电阻:28Ω@150mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LFG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LFG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP2120FFTA 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP2120FFTA 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP2120FFTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:137mA

    类型:P沟道

    导通电阻:28Ω@150mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:8.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€139W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LCG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LCG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LCG-7

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:1W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP2120FFTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP2120FFTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP2120FFTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:137mA

    类型:P沟道

    导通电阻:28Ω@150mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:8.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005LCT 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005LCT 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H005LCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:187W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3688pF@50V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP2120FFTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP2120FFTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP2120FFTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:137mA

    类型:P沟道

    导通电阻:28Ω@150mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH45M5SPDWQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH45M5SPDWQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH45M5SPDWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€60W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1083pF@20V

    连续漏极电流:79A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:8.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€139W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€139W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€139W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:8.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€139W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€139W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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