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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDEQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2953pF@4V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1100UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：83mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.73W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.4nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2588pF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDEQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2953pF@4V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1100UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：83mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1100UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：83mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDEQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：42.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2953pF@4V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDEQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：42.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2953pF@4V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
