采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B04N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2480pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：2.93nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：258pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B04N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2480pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：908pF@6V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：700mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：590mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P02XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P02XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P02XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：590mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：2.93nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：258pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：2.93nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：258pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：2.93nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：258pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：2.93nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：258pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P02XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P02XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
