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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：4.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：18.5A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：4.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：4.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3190LDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：190mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
