采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：930mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
输入电容：1810 pF @ 20 V
连续漏极电流：11.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：930mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
输入电容：1810 pF @ 20 V
连续漏极电流：11.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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功率：930mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
输入电容：1810 pF @ 20 V
连续漏极电流：11.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
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功率：930mW（Ta）
栅极电荷：37 nC @ 10 V
漏源电压：40V
连续漏极电流：11.5A（Ta）
导通电阻：12 毫欧 @ 14A，10V
输入电容：1810 pF @ 20 V
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阈值电压：3V @ 250µA
类型：N 通道
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