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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LK3-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
导通电阻：9mΩ@20A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：90A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
功率：1.7W
输入电容：2309pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LK3-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
导通电阻：9mΩ@20A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：90A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
功率：1.7W
输入电容：2309pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LK3-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
导通电阻：9mΩ@20A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：90A
漏源电压：100V
功率：1.7W
输入电容：2309pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540NPBF-ES
功率：35W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：20nC@4.5V
输入电容：1.982nF@25V
连续漏极电流：18A
反向传输电容：76pF@25V
导通电阻：37mΩ@10V，10A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540NPBF-ES
功率：35W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：20nC@4.5V
输入电容：1.982nF@25V
连续漏极电流：18A
反向传输电容：76pF@25V
导通电阻：37mΩ@10V，10A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE0117K
功率：35W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：20nC@4.5V
输入电容：1.982nF@25V
连续漏极电流：18A
反向传输电容：76pF@25V
导通电阻：37mΩ@10V，10A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE0117K
功率：35W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：20nC@4.5V
输入电容：1.982nF@25V
连续漏极电流：18A
反向传输电容：76pF@25V
导通电阻：37mΩ@10V，10A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE0117K
功率：35W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：20nC@4.5V
输入电容：1.982nF@25V
连续漏极电流：18A
反向传输电容：76pF@25V
导通电阻：37mΩ@10V，10A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE0117K
功率：35W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：20nC@4.5V
输入电容：1.982nF@25V
连续漏极电流：18A
反向传输电容：76pF@25V
导通电阻：37mΩ@10V，10A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE0117K
功率：35W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：20nC@4.5V
输入电容：1.982nF@25V
连续漏极电流：18A
反向传输电容：76pF@25V
导通电阻：37mΩ@10V，10A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：20nC@4.5V
输入电容：2.309nF@50V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE0117K
功率：35W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：20nC@4.5V
输入电容：1.982nF@25V
连续漏极电流：18A
反向传输电容：76pF@25V
导通电阻：37mΩ@10V，10A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
