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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT3009LFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€35.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3130L-7
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功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT3009LFVWQ-7
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功率：2.3W€35.7W
阈值电压：3V@250µA
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栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT3009LFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€35.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT3009LFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€35.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT3009LFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€35.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT3009LFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€35.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3130L-7
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功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3009LFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€35.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3009LFVWQ-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：823pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：12A€50A
栅极电荷：12nC@10V
功率：2.3W€35.7W
导通电阻：11mΩ@14.4A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
阈值电压：1.3V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：12nC@10V
类型：P沟道
输入电容：432pF@15V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：3.5A
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3009LFVW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3441 R1 00001
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：550pF@20V
连续漏极电流：5A
反向传输电容：40pF@20V
导通电阻：68mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3441 R1 00001
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：550pF@20V
连续漏极电流：5A
反向传输电容：40pF@20V
导通电阻：68mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WST4041-ES
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：550pF@20V
连续漏极电流：5A
反向传输电容：40pF@20V
导通电阻：68mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3009LFVW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
