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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
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功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
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输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
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功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
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输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
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漏源电压：12V
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功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
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输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
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功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
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功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
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功率：730mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：48.3nC@8V
输入电容：2.712nF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4.5V，4A
漏源电压：12V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：48.3nC@8V
输入电容：2.712nF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4.5V，4A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：48.3nC@8V
输入电容：2.712nF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4.5V，4A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
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输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2712pF@10V
栅极电荷：48.3nC@8V
类型：P沟道
漏源电压：12V
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
连续漏极电流：9.5A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2712pF@10V
栅极电荷：48.3nC@8V
类型：P沟道
漏源电压：12V
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
连续漏极电流：9.5A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：48.3nC@8V
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：730mW
连续漏极电流：9.5A
类型：1个P沟道
输入电容：2.712nF@10V
导通电阻：15.3mΩ@4.5V，4A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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