采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1.38A
类型：2个N沟道
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：740pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：740pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：740pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：740pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：740pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-7
栅极电荷：740pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
连续漏极电流：630mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-7
栅极电荷：740pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
连续漏极电流：630mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-7
栅极电荷：740pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
连续漏极电流：630mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
连续漏极电流：630mA
包装清单：商品主体 * 1
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