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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LDK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：17.1A€46.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：16A€65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LDK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：17.1A€46.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LDK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：17.1A€46.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：16A€65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LDK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：17.1A€46.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：16A€65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：16A€55.6A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LDK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：17.1A€46.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：16A€55.6A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：16A€55.6A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LDK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：17.1A€46.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：16A€55.6A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LDK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：17.1A€46.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LDK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：17.1A€46.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：16A€65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LDK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：17.1A€46.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LDK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：17.1A€46.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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