品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6250SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€14W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6250SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€14W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6250SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€14W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6250SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6250SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6250SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP65H20D0HSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1167pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6250SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€14W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: