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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
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功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
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漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
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功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
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输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
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功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
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功率：680mW
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规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
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功率：680mW
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
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功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
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连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
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功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
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输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
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功率：680mW
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功率：680mW
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连续漏极电流：9.3A
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连续漏极电流：9.3A
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导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
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栅极电荷：50.6nC@8V
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连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMN1019UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：DMN1019USN-7
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功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
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连续漏极电流：9.3A
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规格型号(MPN)：DMN1019UFDE-7
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功率：690mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
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连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
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功率：680mW
阈值电压：800mV@250µA
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输入电容：2426pF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
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功率：680mW
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规格型号(MPN)：DMN1019USN-13
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连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
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连续漏极电流：11A
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输入电容：2425pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
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连续漏极电流：9.3A
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