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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2027UPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1091pF@10V
连续漏极电流：10A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
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功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
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功率：610mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：1.56W
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输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2027UPS-13
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功率：1.1W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1091pF@10V
连续漏极电流：10A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
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功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
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输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2027UPS-13
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功率：1.1W
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ECCN：EAR99
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输入电容：1091pF@10V
连续漏极电流：10A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2027UPS-13
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功率：1.1W
阈值电压：1.3V@250µA
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输入电容：1091pF@10V
连续漏极电流：10A€36A
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导通电阻：12.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
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连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
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输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
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输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
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连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
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功率：1.56W
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输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
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功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
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输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
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输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
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输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
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输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
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连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
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输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2027UPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1091pF@10V
连续漏极电流：10A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2027UPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
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输入电容：1091pF@10V
连续漏极电流：10A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
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栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
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