采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
